[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]
1. Jurnal[Kembali]
Rangkaian Voltage Divider Bias adalah salah satu cara untuk mem-polarisasi transistor bipolar agar bekerja dalam daerah aktif (active region). Prinsip kerja rangkaian Voltage Divider Bias adalah menggunakan pembagi tegangan (voltage divider) dengan dua resistor untuk menentukan tegangan basis-emitor (VBE) pada transistor.
Pilih dua resistor, yaitu resistor basis (R1) dan resistor kolektor (R2), dengan nilai-nilai tertentu. Nilai-nilai resistor ini akan mempengaruhi titik kerja (Q point) transistor. Rangkaian Voltage Divider Bias menggunakan dua resistor (R1 dan R2) yang dihubungkan secara seri antara tegangan catu daya positif (Vcc) dan ground (0V). Tegangan Vcc dibagi antara kedua resistor ini. Tegangan VBE adalah tegangan yang diterapkan antara basis dan emitor transistor, yang diperlukan agar transistor bekerja dalam mode aktif.
Salah satu keunggulan dari rangkaian Voltage Divider Bias adalah stabilitasnya terhadap perubahan suhu. Ini karena perubahan tegangan catu daya tidak langsung mempengaruhi tegangan basis-emitor yang dihasilkan oleh pembagi tegangan. Dengan merancang resistor R1 dan R2 dengan benar, kita dapat memastikan transistor berada pada titik kerja yang stabil dalam daerah aktifnya di kurva karakteristik transistor. Di mana VCE adalah tegangan kolektor-emitor
3. Video Percobaan[Kembali]
4. Analisa[Kembali]
1. Analisa prinsip kerja dari rangkaian voltage divider bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan
jawab :
Prinsip kerja rangkaian Voltage Divider Bias adalah untuk memberikan tegangan basis yang sesuai pada transistor, sehingga transistor dapat mengatur arus kolektor dengan benar.
Tegangan Input Vcc sebesar 12 V nantinya akan mengalir arus yang akan mengalir kedua arah yakni menuju RC(1k ohm) dan RB1 (10k ohm) dan akan menghasilkan Ib dan Ic (bisa diukur dengan multimeter bagian arus) , arus-arus tersebut nantinya akan mengalir masuk menuju transistor, ada yang masuk melalui kaki kolektor dan kaki base. Kedua arus yang masuk itu akan keluar melalui kaki emitter lalu melalui Resistor emitter (RE) dan masuk menuju ground. Salah satu arus juga akan mengalir menuju RB2 dan mengalir langsung menuju ground.
Arus yang mengalir melalui Kaki Base ke Kaki aemitter akan menghasilkan tegangan VBE yang dapat diukur menggunakan Voltmeter, Arus yang mengalir dari Kaki kolektor ke kaki emitter dan akan mengahsilkan tegangan VCE yang dapat diukur dengan Voltmeter.
Arus yang melalui RB lalu masuk ke kaki base akan menghasilkan tegangan VRB dan arus yang mengalir ke RC lalu ke kaki kolektor akan menghasilkan tegangan VRC. Arus Yang keluar melalui Kaki emitter lalu mengalir melalui RE akan menghasilkan tegangan RE (VRE).
2. Tentukan titik kerja (Q Point) dari percobaan voltage divider bias (dalam bentuk grafik)
jawab :
3.Nilai apakah yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q point)
Jawab :
Faktor-faktor yang memengaruhi Q point:
1. Arus Bias (IB): Perubahan IB, yaitu arus yang mengalir melalui dasar transistor, akan mempengaruhi Q point. Kenaikan IB akan menggeser Q point ke atas, sementara penurunan IB akan menggesernya ke bawah.
2. Tegangan Bias (VBE): Tegangan basis-emiternya juga sangat penting. Variasi tegangan VBE akibat perubahan suhu atau tegangan pasokan dapat memengaruhi Q point.
3. Tegangan Pasokan (VCC): Jika tegangan pasokan sirkuit mengalami perubahan, Q point juga akan berubah sesuai dengan perubahan tersebut.
4. Perubahan Suhu: Perubahan suhu bisa memengaruhi karakteristik transistor, termasuk VBE, yang akan berdampak pada Q point.
5. Variasi Toleransi Komponen: Beberapa komponen elektronik, seperti resistor dan kapasitor, memiliki toleransi tertentu yang harus diperhitungkan. Variasi ini dapat memengaruhi Q point.
6. Hambatan Lintasan Kolektor (RC): Nilai hambatan pada lintasan kolektor juga dapat mempengaruhi Q point dan kinerja keseluruhan sirkuit.
7. Perubahan Parameter Transistor: Transistor dari berbagai produksi bisa memiliki variasi dalam parameter mereka, yang dapat mempengaruhi Q point karena karakteristik transistor yang berbeda.
5. Video Penjelasan[Kembali]
6. Download File[Kembali]
Download Datasheet Resistor disini
Download Datasheet Transistor disini
Download Video Penjelasan disini
Download Video Percobaan disini
Komentar
Posting Komentar